GIS合閘過(guò)電壓的場(chǎng)路結(jié)合分析
郭志斌1，劉守豹2，張海庫(kù)2，康操2
（1 大唐四川發(fā)電有限公司，四川 成都 610091；2 大唐水電科學(xué)技術(shù)研究院有限公司，廣西 南寧 530007）
摘 要：氣體絕緣組合開(kāi)關(guān)（GIS）例行操作時(shí)會(huì)產(chǎn)生快速暫態(tài)過(guò)電壓，威脅GIS安全運(yùn)行。對(duì)某220 kV GIS充電過(guò)程中發(fā)生的盆式絕緣子擊穿故障進(jìn)行過(guò)電壓分析，使用有限元仿真軟件ANSYS MAXWELL建立電磁場(chǎng)分析模型，提取GIS電容、電感分布參數(shù)；將分布參數(shù)導(dǎo)入ATP-EMTP，建立電磁暫態(tài)路分析模型，對(duì)不同狀態(tài)下GIS的合閘過(guò)電壓情況進(jìn)行仿真計(jì)算。分析認(rèn)為合閘時(shí)刻GIS母線存在感應(yīng)電壓是導(dǎo)致高幅值過(guò)電壓進(jìn)而擊穿盆式絕緣子的根本原因。
關(guān)鍵詞：氣體絕緣組合開(kāi)關(guān)（GIS）；場(chǎng)路結(jié)合；分布參數(shù)；合閘過(guò)電壓；ATP-EMTP軟件
中圖分類號(hào)：TM591 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼：A 文章編號(hào)：1007-3175(2019)03-0051-04
Field-Circuit Combination Analysis of Gas Insulated Switchgear Closing Overvoltage
GUO Zhi-bin1, LIU Shou-bao2, ZHANG Hai-ku2, KANG Cao2
（1 Datang Sichuan Power Generation Co., Ltd, Chengdu 610091, China;
2 Datang Hydropower Science & Technology Research Institute Co., Ltd, Nanning 530007, China）
Abstract: In the routine operation of gas insulated switchgear (GIS), fast transient overvoltage will be formed, which affects the safe of GIS. This paper carried out the overvoltage analysis of a 220 kV GIS basin insulator breakdown fault during the charging process, established the electromagnetic field analysis model by using the finite element simulation software ANSYS MAXWELL and extracted the capacitance and inductance distribution parameters of GIS. The distribution parameters were imported into the software ATP-EMTP, the electromagnetic transient circuit analysis model was established and the simulation of closing overvoltage was carried out in various cases. It is concluded that the induced voltage of GIS busbar at closing time is the fundamental reason for high amplitude overvoltage and breakdown of basin insulator.
Key words: gas insulated switchgear; field-circuit combination; distribution parameter; closing overvoltage; ATP-EMTP
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